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          TFT各类玻璃基板的轻量化・薄化加工一般使用氢氟酸系蚀刻液。 本装置通过对蚀刻反应中的有效成分浓度进行测量控制,从而实现大幅削减药液量,稳定加工速度,确保加工品质等效果。  | 
        
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以硅酸为主要成分的硼硅酸玻璃的蚀刻反应原理。
        SiO2   +  6HF  → H2SiF6  +  2H2O ----  (SiO2溶解反应式 -1)
      B2O3   +  8HF  → 2HBF4  +  3H2O ----  (B2O3 溶解反应式-2)
| 细目 | SEEDA-TX/H | 
|---|---|
| HF测定控制范围 | 0.0~5.0N | 
| HCl测定控制范围 | 0.0~5.0N | 
| H2SO4测定监视范围 | 0.0~10.0N | 
| H2SiF6测定监视范围 | 0.0~10.0 wt% | 
| 测定原理 | 特殊滴定法 | 
| 测定时间 | 约20min/1sample测定 | 
| 控制对象成分 | HF. HCl.. H2SO4 . H2SiF6 | 
| 测定精度 HF | 测定值±0.10 | 
| 测定精度 HCl | 测定值±0.20 | 
| 测定精度 H2SO4 | 测定值±0.10 | 
| 测定精度 H2SiF6 | 测定值±0.20 | 
