TFT各类玻璃基板的轻量化・薄化加工一般使用氢氟酸系蚀刻液。 本装置通过对蚀刻反应中的有效成分浓度进行测量控制,从而实现大幅削减药液量,稳定加工速度,确保加工品质等效果。 |
以硅酸为主要成分的硼硅酸玻璃的蚀刻反应原理。
SiO2 + 6HF → H2SiF6 + 2H2O ---- (SiO2溶解反应式 -1)
B2O3 + 8HF → 2HBF4 + 3H2O ---- (B2O3 溶解反应式-2)
细目 | SEEDA-TX/H |
---|---|
HF测定控制范围 | 0.0~5.0N |
HCl测定控制范围 | 0.0~5.0N |
H2SO4测定监视范围 | 0.0~10.0N |
H2SiF6测定监视范围 | 0.0~10.0 wt% |
测定原理 | 特殊滴定法 |
测定时间 | 约20min/1sample测定 |
控制对象成分 | HF. HCl.. H2SO4 . H2SiF6 |
测定精度 HF | 测定值±0.10 |
测定精度 HCl | 测定值±0.20 |
测定精度 H2SO4 | 测定值±0.10 |
测定精度 H2SiF6 | 测定值±0.20 |