在太阳电池片加工领域,利用晶体硅的各向同性蚀刻加工使用氢氟酸系的加工液,各向异性蚀刻加工则使用 KOH 或 TMAH 等碱性蚀刻液。 本装置针对酸性蚀刻液中的各有效成分浓度进行测量控制,在节省药液用量的同时保证加工品质的稳定。 |
Si0 蚀刻反应原理:
Si0 + 2HNO3 → SiO2 + 2HNO2 ---- (SiO 氧化反应式 -1)
SiO2 + 6HF → H2SiF6 + 2H2O ---- (SiO2 溶解反应式 -2)
细目 | SEEDA-TX/N型 |
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HNO3测定监视范围 | 0.0~10.0N |
HF测定控制范围 | 0.0~5.0N |
H2SO4测定监视范围 | 0.0~10.0N |
H2SiF6 | 0.0~10.0 wt% |
测定原理 | 特殊滴定法 |
测定时间 | 约20min/1sample测定 |
控制对象成分 | HNO3. HF. H2SO4 . H2SiF6 |
测定精度 HNO3 | 测定值±0.20 |
测定精度 HF | 测定值±0.10 |
测定精度 H2SO4 | 测定值±0.10 |
测定精度 H2SiF6 | 测定值±0.20 |