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液晶/半导体/其他电子部品生产Line

SEEDA-CU

蚀刻反应原理

◇活性氧生成反应
 H2O2→H2O + (O)

◇胺错体生成反应/可溶性安定化固定功能(pH:11以上反应条件)
 Cu0 + n(O) + nNH4OH → Cu(NH4)n+ + nH2O

◇氟错体生成反应/可溶性安定化固体功能(pH:5时反应条件)
 Cu0 + n(O) + nNH4F → CuFn2+ + nH2O + nNH4OH

蚀刻液浓度变化要因

  • 活性氧生成反应→H2O2H2O2浓度下降
  • 铜错体生成反应→胺浓度下降

装置基本规格

H2O2测定控制范围 0.00~10.0wt%
Cu0 0.00~2.00wt%
pH测定控制范围 1.0~13.0pH
测定原理 吸光光度法与pH
测定时间 5min/1測定
控制对象成分 H2O2&Cu ・pH

欢迎您的垂询。

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