- 爱纳克 首页
- 装置大全
- 液晶/半导体/其他电子部品生产Line
- 装置便览
- SEEDA-CU型
SEEDA-CU
蚀刻反应原理
◇活性氧生成反应
H2O2→H2O + (O)
◇胺错体生成反应/可溶性安定化固定功能(pH:11以上反应条件)
Cu0 + n(O) + nNH4OH → Cu(NH4)n+ + nH2O
◇氟错体生成反应/可溶性安定化固体功能(pH:5时反应条件)
Cu0 + n(O) + nNH4F → CuFn2+ + nH2O + nNH4OH
蚀刻液浓度变化要因
- 活性氧生成反应→H2O2H2O2浓度下降
- 铜错体生成反应→胺浓度下降
装置基本规格
|
H2O2测定控制范围 |
0.00~10.0wt% |
Cu0 |
0.00~2.00wt% |
pH测定控制范围 |
1.0~13.0pH |
测定原理 |
吸光光度法与pH |
测定时间 |
5min/1測定 |
控制对象成分 |
H2O2&Cu ・pH |
|